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Référence fabricant | CY7C1612KV18-250BZXI |
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Numéro de pièce future | FT-CY7C1612KV18-250BZXI |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
CY7C1612KV18-250BZXI Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de mémoire | Volatile |
Format de mémoire | SRAM |
La technologie | SRAM - Synchronous, QDR II |
Taille mémoire | 144Mb (8M x 18) |
Fréquence d'horloge | 250MHz |
Ecrire le temps de cycle - Word, Page | - |
Temps d'accès | - |
Interface mémoire | Parallel |
Tension - Alimentation | 1.7V ~ 1.9V |
Température de fonctionnement | -40°C ~ 85°C (TA) |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | 165-LBGA |
Package d'appareils du fournisseur | 165-FBGA (15x17) |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
CY7C1612KV18-250BZXI Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | CY7C1612KV18-250BZXI-FT |
S29GL128S10DHV013
Cypress Semiconductor Corp
S29GL128S10DHV020
Cypress Semiconductor Corp
S29GL128S10DHV023
Cypress Semiconductor Corp
S29GL128S11DHIV10
Cypress Semiconductor Corp
S29GL128S90DHA010
Cypress Semiconductor Corp
S29GL128S90DHA013
Cypress Semiconductor Corp
S29GL128S90DHA023
Cypress Semiconductor Corp
S29GL128S90DHI013
Cypress Semiconductor Corp
S29GL128S90DHI023
Cypress Semiconductor Corp
S29GL128S90DHSS10
Cypress Semiconductor Corp
A3P400-1FGG256
Microsemi Corporation
M2GL050S-1VFG400I
Microsemi Corporation
EPF10K10ATC100-3
Intel
EP4CE15F23C7
Intel
A1010B-1PL44I
Microsemi Corporation
XC2VP7-6FFG672I
Xilinx Inc.
APA600-FGG676I
Microsemi Corporation
LCMXO2-4000HE-5FTG256C
Lattice Semiconductor Corporation
5CGTFD7D5F31I7N
Intel
10AX115R1F40E1SG
Intel