maison / des produits / Circuits intégrés (CI) / Mémoire / CY7C1426KV18-300BZXC
Référence fabricant | CY7C1426KV18-300BZXC |
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Numéro de pièce future | FT-CY7C1426KV18-300BZXC |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
CY7C1426KV18-300BZXC Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de mémoire | Volatile |
Format de mémoire | SRAM |
La technologie | SRAM - Synchronous, QDR II |
Taille mémoire | 36Mb (4M x 9) |
Fréquence d'horloge | 300MHz |
Ecrire le temps de cycle - Word, Page | - |
Temps d'accès | - |
Interface mémoire | Parallel |
Tension - Alimentation | 1.7V ~ 1.9V |
Température de fonctionnement | 0°C ~ 70°C (TA) |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | 165-LBGA |
Package d'appareils du fournisseur | 165-FBGA (13x15) |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
CY7C1426KV18-300BZXC Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | CY7C1426KV18-300BZXC-FT |
S34MS04G100TFB000
Cypress Semiconductor Corp
S34MS04G100TFB003
Cypress Semiconductor Corp
S34MS04G100TFI000
Cypress Semiconductor Corp
S34MS04G100TFI003
Cypress Semiconductor Corp
S34MS04G100TFI900
Cypress Semiconductor Corp
S34MS04G200TFI003
Cypress Semiconductor Corp
S34MS04G204TFI013
Cypress Semiconductor Corp
CY7C2263KV18-450BZXI
Cypress Semiconductor Corp
CY7C1513KV18-250BZXI
Cypress Semiconductor Corp
CY7C1168KV18-400BZXC
Cypress Semiconductor Corp
A54SX08A-PQG208A
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M1AGL250V5-VQ100I
Microsemi Corporation
EP4CE40F23C8N
Intel
5AGXMA5D4F27I5N
Intel
XC7V585T-2FF1761I
Xilinx Inc.
LFE5U-12F-8BG256I
Lattice Semiconductor Corporation
5CEFA2F23I7N
Intel
10AX090R2F40E2SG
Intel
EP4CGX110DF31C8
Intel
EP2S180F1508C5
Intel