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Référence fabricant | CY7C1420KV18-250BZXC |
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Numéro de pièce future | FT-CY7C1420KV18-250BZXC |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
CY7C1420KV18-250BZXC Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de mémoire | Volatile |
Format de mémoire | SRAM |
La technologie | SRAM - Synchronous, DDR II |
Taille mémoire | 36Mb (1M x 36) |
Fréquence d'horloge | 250MHz |
Ecrire le temps de cycle - Word, Page | - |
Temps d'accès | - |
Interface mémoire | Parallel |
Tension - Alimentation | 1.7V ~ 1.9V |
Température de fonctionnement | 0°C ~ 70°C (TA) |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | 165-LBGA |
Package d'appareils du fournisseur | 165-FBGA (13x15) |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
CY7C1420KV18-250BZXC Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | CY7C1420KV18-250BZXC-FT |
S34ML02G100TFV003
Cypress Semiconductor Corp
S34ML02G104TFA010
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S34ML02G200TFA003
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S34ML02G200TFB000
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S34ML02G200TFB003
Cypress Semiconductor Corp
S34ML02G200TFI000
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S34ML02G200TFI003
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S34ML02G200TFI500
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XC7A50T-3FGG484E
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M1AGL1000V5-FGG484
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A3P250L-VQG100
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XC6VHX250T-1FF1154I
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XC6SLX16-L1CSG225C
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XC6SLX25T-3CSG324C
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LCMXO640E-4BN256C
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LCMXO1200E-3MN132I
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EP2AGX260FF35I3
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