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Référence fabricant | CY7C1414BV18-200BZXI |
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Numéro de pièce future | FT-CY7C1414BV18-200BZXI |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
CY7C1414BV18-200BZXI Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Obsolete |
Type de mémoire | Volatile |
Format de mémoire | SRAM |
La technologie | SRAM - Synchronous, QDR II |
Taille mémoire | 36Mb (1M x 36) |
Fréquence d'horloge | 200MHz |
Ecrire le temps de cycle - Word, Page | - |
Temps d'accès | - |
Interface mémoire | Parallel |
Tension - Alimentation | 1.7V ~ 1.9V |
Température de fonctionnement | -40°C ~ 85°C (TA) |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | 165-LBGA |
Package d'appareils du fournisseur | 165-FBGA (15x17) |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
CY7C1414BV18-200BZXI Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | CY7C1414BV18-200BZXI-FT |
CY7C1663KV18-550BZXC
Cypress Semiconductor Corp
CY7C1441KV33-133BZM
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CY7C2665KV18-550BZI
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CY7C25422KV18-333BZXI
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CY7C1440KV25-250BZXI
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M1AGL250V5-VQ100I
Microsemi Corporation
EP4CE40F23C8N
Intel
5AGXMA5D4F27I5N
Intel
XC7V585T-2FF1761I
Xilinx Inc.
LFE5U-12F-8BG256I
Lattice Semiconductor Corporation
5CEFA2F23I7N
Intel
10AX090R2F40E2SG
Intel
EP4CGX110DF31C8
Intel
EP2S180F1508C5
Intel