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Référence fabricant | CY7C1412KV18-300BZXI |
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Numéro de pièce future | FT-CY7C1412KV18-300BZXI |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
CY7C1412KV18-300BZXI Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Obsolete |
Type de mémoire | Volatile |
Format de mémoire | SRAM |
La technologie | SRAM - Synchronous, QDR II |
Taille mémoire | 36Mb (2M x 18) |
Fréquence d'horloge | 300MHz |
Ecrire le temps de cycle - Word, Page | - |
Temps d'accès | - |
Interface mémoire | Parallel |
Tension - Alimentation | 1.7V ~ 1.9V |
Température de fonctionnement | -40°C ~ 85°C (TA) |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | 165-LBGA |
Package d'appareils du fournisseur | 165-FBGA (13x15) |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
CY7C1412KV18-300BZXI Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | CY7C1412KV18-300BZXI-FT |
S34ML08G101TFB000
Cypress Semiconductor Corp
S34ML08G101TFB003
Cypress Semiconductor Corp
S34ML08G101TFI003
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S34ML08G101TFI203
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S34ML08G201TFA000
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S34ML08G201TFB000
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S34ML08G201TFB003
Cypress Semiconductor Corp
S34ML08G201TFI003
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S34ML08G201TFV000
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S34ML08G201TFV003
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M2GL025TS-1FGG484I
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A54SX16A-FFG256
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MPF200T-FCG484E
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5CGXFC5C6F27C7N
Intel
5SGSED6N1F45C2LN
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5SGXEB9R3H43C2L
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A42MX24-1PQG160M
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10M16DCU324A7G
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5AGXMA1D6F31C6N
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