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Référence fabricant | CY7C1321KV18-250BZC |
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Numéro de pièce future | FT-CY7C1321KV18-250BZC |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
CY7C1321KV18-250BZC Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de mémoire | Volatile |
Format de mémoire | SRAM |
La technologie | SRAM - Synchronous, DDR II |
Taille mémoire | 18Mb (512K x 36) |
Fréquence d'horloge | 250MHz |
Ecrire le temps de cycle - Word, Page | - |
Temps d'accès | - |
Interface mémoire | Parallel |
Tension - Alimentation | 1.7V ~ 1.9V |
Température de fonctionnement | 0°C ~ 70°C (TA) |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | 165-LBGA |
Package d'appareils du fournisseur | 165-FBGA (13x15) |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
CY7C1321KV18-250BZC Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | CY7C1321KV18-250BZC-FT |
CY7C1248KV18-400BZXC
Cypress Semiconductor Corp
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CY7C2163KV18-450BZXI
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CY7C1412KV18-250BZXI
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CY7C1320KV18-250BZXI
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CY7C1370KV25-200BZC
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CY7C15632KV18-450BZC
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XC4006E-3TQ144C
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XC6SLX150T-N3FGG900C
Xilinx Inc.
LFE3-17EA-6FTN256I
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10M08DCF484I7G
Intel
EP3CLS150F484C8
Intel
EP4CE115F23C7
Intel
XC2VP20-6FFG1152I
Xilinx Inc.
LCMXO2-4000HE-6BG256I
Lattice Semiconductor Corporation
10AX027E2F27E1HG
Intel
EP4SGX360HF35I3N
Intel