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Référence fabricant | CY7C1320JV18-300BZXC |
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Numéro de pièce future | FT-CY7C1320JV18-300BZXC |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
CY7C1320JV18-300BZXC Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Obsolete |
Type de mémoire | Volatile |
Format de mémoire | SRAM |
La technologie | SRAM - Synchronous, DDR II |
Taille mémoire | 18Mb (512K x 36) |
Fréquence d'horloge | 300MHz |
Ecrire le temps de cycle - Word, Page | - |
Temps d'accès | - |
Interface mémoire | Parallel |
Tension - Alimentation | 1.7V ~ 1.9V |
Température de fonctionnement | 0°C ~ 70°C (TA) |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | 165-LBGA |
Package d'appareils du fournisseur | 165-FBGA (13x15) |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
CY7C1320JV18-300BZXC Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | CY7C1320JV18-300BZXC-FT |
CY7C13121KV18-300BZXC
Cypress Semiconductor Corp
CY7C1312BV18-167BZC
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CY7C1312BV18-167BZCT
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CY7C1312BV18-167BZI
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CY7C1312BV18-200BZC
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CY7C1312BV18-200BZI
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CY7C1312BV18-200BZXC
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CY7C1312BV18-250BZC
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CY7C1312CV18-167BZC
Cypress Semiconductor Corp
CY7C1312CV18-167BZI
Cypress Semiconductor Corp
A3P030-2QNG68I
Microsemi Corporation
XC3S50A-5TQG144C
Xilinx Inc.
A3P250-2FG256I
Microsemi Corporation
A54SX32A-2PQG208I
Microsemi Corporation
5SGXMA3E1H29I2N
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XC4VLX40-11FFG1148I
Xilinx Inc.
A40MX04-2PQG100I
Microsemi Corporation
10AX057K1F35I1SG
Intel
EPF10K50SQC240-1N
Intel
EP1S25F1020C7N
Intel