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Référence fabricant | CY7C1320JV18-300BZXC |
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Numéro de pièce future | FT-CY7C1320JV18-300BZXC |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
CY7C1320JV18-300BZXC Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Obsolete |
Type de mémoire | Volatile |
Format de mémoire | SRAM |
La technologie | SRAM - Synchronous, DDR II |
Taille mémoire | 18Mb (512K x 36) |
Fréquence d'horloge | 300MHz |
Ecrire le temps de cycle - Word, Page | - |
Temps d'accès | - |
Interface mémoire | Parallel |
Tension - Alimentation | 1.7V ~ 1.9V |
Température de fonctionnement | 0°C ~ 70°C (TA) |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | 165-LBGA |
Package d'appareils du fournisseur | 165-FBGA (13x15) |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
CY7C1320JV18-300BZXC Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | CY7C1320JV18-300BZXC-FT |
CY7C13121KV18-300BZXC
Cypress Semiconductor Corp
CY7C1312BV18-167BZC
Cypress Semiconductor Corp
CY7C1312BV18-167BZCT
Cypress Semiconductor Corp
CY7C1312BV18-167BZI
Cypress Semiconductor Corp
CY7C1312BV18-200BZC
Cypress Semiconductor Corp
CY7C1312BV18-200BZI
Cypress Semiconductor Corp
CY7C1312BV18-200BZXC
Cypress Semiconductor Corp
CY7C1312BV18-250BZC
Cypress Semiconductor Corp
CY7C1312CV18-167BZC
Cypress Semiconductor Corp
CY7C1312CV18-167BZI
Cypress Semiconductor Corp
A3P400-1FGG256
Microsemi Corporation
M2GL050S-1VFG400I
Microsemi Corporation
EPF10K10ATC100-3
Intel
EP4CE15F23C7
Intel
A1010B-1PL44I
Microsemi Corporation
XC2VP7-6FFG672I
Xilinx Inc.
APA600-FGG676I
Microsemi Corporation
LCMXO2-4000HE-5FTG256C
Lattice Semiconductor Corporation
5CGTFD7D5F31I7N
Intel
10AX115R1F40E1SG
Intel