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Référence fabricant | CY7C1170V18-400BZC |
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Numéro de pièce future | FT-CY7C1170V18-400BZC |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
CY7C1170V18-400BZC Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Obsolete |
Type de mémoire | Volatile |
Format de mémoire | SRAM |
La technologie | SRAM - Synchronous, DDR II |
Taille mémoire | 18Mb (512K x 36) |
Fréquence d'horloge | 400MHz |
Ecrire le temps de cycle - Word, Page | - |
Temps d'accès | - |
Interface mémoire | Parallel |
Tension - Alimentation | 1.7V ~ 1.9V |
Température de fonctionnement | 0°C ~ 70°C (TA) |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | 165-LBGA |
Package d'appareils du fournisseur | 165-FBGA (13x15) |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
CY7C1170V18-400BZC Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | CY7C1170V18-400BZC-FT |
CY7C1321KV18-250BZXCT
Cypress Semiconductor Corp
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Cypress Semiconductor Corp
EPF10K10TC144-4
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A3P125-2PQG208
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A54SX16A-PQG208I
Microsemi Corporation
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5SGXMA5K2F35C3N
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Xilinx Inc.
A42MX24-3PL84
Microsemi Corporation
LFE2M20E-5F484I
Lattice Semiconductor Corporation
10AX066K2F40I2LG
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EP3C80F780C8N
Intel