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Référence fabricant | CY7C1170KV18-550BZC |
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Numéro de pièce future | FT-CY7C1170KV18-550BZC |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
CY7C1170KV18-550BZC Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de mémoire | Volatile |
Format de mémoire | SRAM |
La technologie | SRAM - Synchronous, DDR II+ |
Taille mémoire | 18Mb (512K x 36) |
Fréquence d'horloge | 550MHz |
Ecrire le temps de cycle - Word, Page | - |
Temps d'accès | - |
Interface mémoire | Parallel |
Tension - Alimentation | 1.7V ~ 1.9V |
Température de fonctionnement | 0°C ~ 70°C (TA) |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | 165-LBGA |
Package d'appareils du fournisseur | 165-FBGA (13x15) |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
CY7C1170KV18-550BZC Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | CY7C1170KV18-550BZC-FT |
CY7C1512KV18-300BZXC
Cypress Semiconductor Corp
CY7C1512KV18-333BZI
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CY7C1512LV18-250BZXC
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CY7C1513KV18-300BZC
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CY7C1514KV18-333BZI
Cypress Semiconductor Corp
CY7C1514KV18-333BZXI
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LCMXO2280E-3TN144C
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A54SX32A-2TQG144I
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Lattice Semiconductor Corporation
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10M08SAU169I7G
Intel
XC2VP50-5FF1152I
Xilinx Inc.
XC4VLX25-11FFG676I
Xilinx Inc.
LFEC10E-3F256I
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2-70SE-5FN672I
Lattice Semiconductor Corporation
EP20K160EBC356-1
Intel