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Référence fabricant | CY62147GE18-55BVXI |
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Numéro de pièce future | FT-CY62147GE18-55BVXI |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | MoBL® |
CY62147GE18-55BVXI Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de mémoire | Volatile |
Format de mémoire | SRAM |
La technologie | SRAM - Asynchronous |
Taille mémoire | 4Mb (256K x 16) |
Fréquence d'horloge | - |
Ecrire le temps de cycle - Word, Page | 55ns |
Temps d'accès | 55ns |
Interface mémoire | Parallel |
Tension - Alimentation | 1.65V ~ 2.2V |
Température de fonctionnement | -40°C ~ 85°C (TA) |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | 48-VFBGA |
Package d'appareils du fournisseur | 48-VFBGA (6x8) |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
CY62147GE18-55BVXI Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | CY62147GE18-55BVXI-FT |
DS1250W-100+
Maxim Integrated
DS1250AB-100IND+
Maxim Integrated
DS1250Y-100IND+
Maxim Integrated
DS1245Y-100+
Maxim Integrated
DS1249AB-100
Maxim Integrated
DS1249AB-85
Maxim Integrated
DS1249AB-85IND
Maxim Integrated
DS1249W-100IND
Maxim Integrated
DS1249W-150
Maxim Integrated
DS1249Y-85
Maxim Integrated
A3P030-2QNG68I
Microsemi Corporation
XC3S50A-5TQG144C
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A3P250-2FG256I
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A54SX32A-2PQG208I
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5SGXMA3E1H29I2N
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Xilinx Inc.
A40MX04-2PQG100I
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10AX057K1F35I1SG
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EPF10K50SQC240-1N
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