maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - FET, MOSFET - Simple / CXDM1002N TR
Référence fabricant | CXDM1002N TR |
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Numéro de pièce future | FT-CXDM1002N TR |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
CXDM1002N TR Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de FET | N-Channel |
La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain à la tension source (Vdss) | 100V |
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C | 2A (Ta) |
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 300 mOhm @ 2A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 6nC @ 5V |
Vgs (Max) | 20V |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 550pF @ 25V |
Caractéristique FET | - |
Dissipation de puissance (max) | 1.2W (Ta) |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Surface Mount |
Package d'appareils du fournisseur | SOT-89 |
Paquet / caisse | TO-243AA |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
CXDM1002N TR Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | CXDM1002N TR-FT |
DMP1012UFDF-13
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DMP1012UFDF-7
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