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Référence fabricant | CW252016-R12G |
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Numéro de pièce future | FT-CW252016-R12G |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | CW252016 |
CW252016-R12G Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type | Wirewound |
Matériau - Noyau | Ceramic |
Inductance | 120nH |
Tolérance | ±2% |
Note actuelle | 500mA |
Courant - Saturation | - |
Blindage | Unshielded |
Résistance DC (DCR) | 630 mOhm Max |
Q @ Freq | 50 @ 100MHz |
Fréquence - Auto-résonance | 950MHz |
Évaluations | - |
Température de fonctionnement | -40°C ~ 125°C |
Fréquence d'inductance - Test | 25MHz |
Caractéristiques | - |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | 1008 (2520 Metric) |
Package d'appareils du fournisseur | 1008 (2520 Metric) |
Taille / Dimension | 0.098" L x 0.079" W (2.50mm x 2.00mm) |
Hauteur - assis (max) | 0.071" (1.80mm) |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
CW252016-R12G Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | CW252016-R12G-FT |
SDR0503-222J
Bourns Inc.
SDR0503-330K
Bourns Inc.
SDR0503-331K
Bourns Inc.
SDR0503-332J
Bourns Inc.
SDR0503-470K
Bourns Inc.
SDR0503-471K
Bourns Inc.
SDR0503-472J
Bourns Inc.
SDR0503-680K
Bourns Inc.
SDR0503-681K
Bourns Inc.
SDR0403-220ML
Bourns Inc.
XCS05-3VQ100C
Xilinx Inc.
XC7S75-2FGGA676C
Xilinx Inc.
AGLN250V2-ZCSG81I
Microsemi Corporation
M1A3P250-2PQ208
Microsemi Corporation
EP20K400EFC672-1
Intel
XC7K410T-L2FFG676I
Xilinx Inc.
A54SX16A-TQ100
Microsemi Corporation
AT40K05AL-1AJC
Microchip Technology
EP1S40F780C8N
Intel
EPF10K100ABI356-3N
Intel