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Référence fabricant | CW252016-1R8J |
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Numéro de pièce future | FT-CW252016-1R8J |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | CW252016 |
CW252016-1R8J Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type | Wirewound |
Matériau - Noyau | Ferrite |
Inductance | 1.8µH |
Tolérance | ±5% |
Note actuelle | 270mA |
Courant - Saturation | - |
Blindage | Unshielded |
Résistance DC (DCR) | 2.6 Ohm Max |
Q @ Freq | 25 @ 7.9MHz |
Fréquence - Auto-résonance | 160MHz |
Évaluations | - |
Température de fonctionnement | -40°C ~ 125°C |
Fréquence d'inductance - Test | 7.9MHz |
Caractéristiques | - |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | 1008 (2520 Metric) |
Package d'appareils du fournisseur | 1008 (2520 Metric) |
Taille / Dimension | 0.098" L x 0.079" W (2.50mm x 2.00mm) |
Hauteur - assis (max) | 0.071" (1.80mm) |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
CW252016-1R8J Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | CW252016-1R8J-FT |
SDR0503-331KL
Bourns Inc.
SDR0503-680KL
Bourns Inc.
SDR0503-272JL
Bourns Inc.
SDR0503-390KL
Bourns Inc.
SDR0503-102KL
Bourns Inc.
SDR0503-150ML
Bourns Inc.
SDR0503-562JL
Bourns Inc.
SDR0503-820KL
Bourns Inc.
SDR0503-121KL
Bourns Inc.
SDR0503-180ML
Bourns Inc.
ICE40HX640-VQ100
Lattice Semiconductor Corporation
XCS10XL-4VQ100C
Xilinx Inc.
AGLN060V5-VQ100I
Microsemi Corporation
EP1M350F780C5
Intel
5SGXMA5N1F45C1N
Intel
EP4SE820H40C4N
Intel
AX1000-FG676
Microsemi Corporation
EP2AGX190EF29C5N
Intel
EPF10K50VBC356-4
Intel
EP3C40F324C8N
Intel