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Référence fabricant | CW201212-5N6J |
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Numéro de pièce future | FT-CW201212-5N6J |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | CW201212 |
CW201212-5N6J Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type | Wirewound |
Matériau - Noyau | Ceramic |
Inductance | 5.6nH |
Tolérance | ±5% |
Note actuelle | 600mA |
Courant - Saturation | - |
Blindage | Unshielded |
Résistance DC (DCR) | 80 mOhm |
Q @ Freq | 60 @ 1GHz |
Fréquence - Auto-résonance | 5.8GHz |
Évaluations | - |
Température de fonctionnement | -40°C ~ 125°C |
Fréquence d'inductance - Test | 250MHz |
Caractéristiques | - |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | 0805 (2012 Metric) |
Package d'appareils du fournisseur | 0805 (2012 Metric) |
Taille / Dimension | 0.083" L x 0.059" W (2.10mm x 1.50mm) |
Hauteur - assis (max) | 0.059" (1.50mm) |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
CW201212-5N6J Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | CW201212-5N6J-FT |
RL110-101K-RC
Bourns Inc.
RL110-331K-RC
Bourns Inc.
RL110-102K-RC
Bourns Inc.
RL110-181K-RC
Bourns Inc.
RL110-220M-RC
Bourns Inc.
RL110-271K-RC
Bourns Inc.
RL110-470K-RC
Bourns Inc.
RL110-471K-RC
Bourns Inc.
RL110-681K-RC
Bourns Inc.
CW252016-R33J
Bourns Inc.
XCS05-3VQ100C
Xilinx Inc.
XC7S75-2FGGA676C
Xilinx Inc.
AGLN250V2-ZCSG81I
Microsemi Corporation
M1A3P250-2PQ208
Microsemi Corporation
EP20K400EFC672-1
Intel
XC7K410T-L2FFG676I
Xilinx Inc.
A54SX16A-TQ100
Microsemi Corporation
AT40K05AL-1AJC
Microchip Technology
EP1S40F780C8N
Intel
EPF10K100ABI356-3N
Intel