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Référence fabricant | CVH252009-R47M |
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Numéro de pièce future | FT-CVH252009-R47M |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | CVH252009 |
CVH252009-R47M Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type | Multilayer |
Matériau - Noyau | Ferrite |
Inductance | 470nH |
Tolérance | ±20% |
Note actuelle | 1.8A |
Courant - Saturation | - |
Blindage | Shielded |
Résistance DC (DCR) | 40 mOhm Max |
Q @ Freq | - |
Fréquence - Auto-résonance | 100MHz |
Évaluations | - |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 125°C |
Fréquence d'inductance - Test | 1MHz |
Caractéristiques | - |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | 1008 (2520 Metric) |
Package d'appareils du fournisseur | 1008 (2520 Metric) |
Taille / Dimension | 0.098" L x 0.079" W (2.50mm x 2.00mm) |
Hauteur - assis (max) | 0.039" (1.00mm) |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
CVH252009-R47M Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | CVH252009-R47M-FT |
CW160808-3N9K
Bourns Inc.
CW160808-47NG
Bourns Inc.
CW160808-47NJ
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CW160808-4N7D
Bourns Inc.
CW160808-4N7K
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CW160808-56NG
Bourns Inc.
CW160808-56NJ
Bourns Inc.
CW160808-68NG
Bourns Inc.
CW160808-68NJ
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CW160808-6N8J
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XC3S500E-4VQG100I
Xilinx Inc.
A54SX32A-2TQG176I
Microsemi Corporation
M2GL025T-1FGG484
Microsemi Corporation
10AX032E3F29I2SG
Intel
EP4CGX22BF14C8N
Intel
EP4SE530H40I3N
Intel
5SGXEA4H2F35I2N
Intel
A40MX02-1PQ100M
Microsemi Corporation
LFEC10E-4F256I
Lattice Semiconductor Corporation
EP2SGX130GF40C4NES
Intel