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Référence fabricant | CV201210-R82K |
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Numéro de pièce future | FT-CV201210-R82K |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | CV201210 |
CV201210-R82K Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type | Multilayer |
Matériau - Noyau | Ferrite |
Inductance | 820nH |
Tolérance | ±10% |
Note actuelle | 150mA |
Courant - Saturation | - |
Blindage | Shielded |
Résistance DC (DCR) | 1 Ohm Max |
Q @ Freq | 25 @ 25MHz |
Fréquence - Auto-résonance | 100MHz |
Évaluations | - |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 125°C |
Fréquence d'inductance - Test | 25MHz |
Caractéristiques | - |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | 0805 (2012 Metric) |
Package d'appareils du fournisseur | 0805 (2012 Metric) |
Taille / Dimension | 0.079" L x 0.049" W (2.00mm x 1.25mm) |
Hauteur - assis (max) | 0.057" (1.45mm) |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
CV201210-R82K Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | CV201210-R82K-FT |
CW100505-3N9J
Bourns Inc.
CW100505-10NJ
Bourns Inc.
CW100505-22NJ
Bourns Inc.
CW100505-68NJ
Bourns Inc.
CW100505-R12J
Bourns Inc.
CW100505-56NJ
Bourns Inc.
CW100505-8N2J
Bourns Inc.
CW100505-18NJ
Bourns Inc.
CW100505-1N0D
Bourns Inc.
CW100505-27NJ
Bourns Inc.
XC6SLX150-3FGG900I
Xilinx Inc.
XC2S200-6PQG208C
Xilinx Inc.
M2GL025T-1FCSG325
Microsemi Corporation
EP3C16F484C7
Intel
5SGSMD4K2F40I3L
Intel
EP1M350F780I6N
Intel
LCMXO3LF-9400E-6BG256C
Lattice Semiconductor Corporation
EP2S90F780C4N
Intel
EPF6016QC240-3N
Intel
5SGSMD3H1F35C1N
Intel