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Référence fabricant | CV201210-R22K |
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Numéro de pièce future | FT-CV201210-R22K |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | CV201210 |
CV201210-R22K Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type | Multilayer |
Matériau - Noyau | Ferrite |
Inductance | 220nH |
Tolérance | ±10% |
Note actuelle | 250mA |
Courant - Saturation | - |
Blindage | Shielded |
Résistance DC (DCR) | 500 mOhm Max |
Q @ Freq | 20 @ 25MHz |
Fréquence - Auto-résonance | 170MHz |
Évaluations | - |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 125°C |
Fréquence d'inductance - Test | 25MHz |
Caractéristiques | - |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | 0805 (2012 Metric) |
Package d'appareils du fournisseur | 0805 (2012 Metric) |
Taille / Dimension | 0.079" L x 0.049" W (2.00mm x 1.25mm) |
Hauteur - assis (max) | 0.041" (1.05mm) |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
CV201210-R22K Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | CV201210-R22K-FT |
CW160808-4N7D
Bourns Inc.
CW160808-4N7K
Bourns Inc.
CW160808-56NG
Bourns Inc.
CW160808-56NJ
Bourns Inc.
CW160808-68NG
Bourns Inc.
CW160808-68NJ
Bourns Inc.
CW160808-6N8J
Bourns Inc.
CW160808-72NJ
Bourns Inc.
CW160808-82NG
Bourns Inc.
CW160808-82NJ
Bourns Inc.
XC2VP30-6FGG676C
Xilinx Inc.
AGL600V2-FG484I
Microsemi Corporation
APA1000-BGG456I
Microsemi Corporation
A3PN125-1VQ100I
Microsemi Corporation
XC6VLX365T-1FF1156I
Xilinx Inc.
LFE3-95E-7FN672C
Lattice Semiconductor Corporation
10AX066K2F35I2LG
Intel
5AGXBA5D4F35I5N
Intel
EP2S180F1508C4N
Intel
EPF81188AQC240-4
Intel