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Référence fabricant | CV201210-8R2K |
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Numéro de pièce future | FT-CV201210-8R2K |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | CV201210 |
CV201210-8R2K Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type | Multilayer |
Matériau - Noyau | Ferrite |
Inductance | 8.2µH |
Tolérance | ±10% |
Note actuelle | 15mA |
Courant - Saturation | - |
Blindage | Shielded |
Résistance DC (DCR) | 1.1 Ohm Max |
Q @ Freq | 45 @ 4MHz |
Fréquence - Auto-résonance | 26MHz |
Évaluations | - |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 125°C |
Fréquence d'inductance - Test | 4MHz |
Caractéristiques | - |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | 0805 (2012 Metric) |
Package d'appareils du fournisseur | 0805 (2012 Metric) |
Taille / Dimension | 0.079" L x 0.049" W (2.00mm x 1.25mm) |
Hauteur - assis (max) | 0.057" (1.45mm) |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
CV201210-8R2K Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | CV201210-8R2K-FT |
CW100505-12NJ
Bourns Inc.
CW100505-33NJ
Bourns Inc.
CW100505-R10J
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CW100505-15NJ
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CW100505-3N3J
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CW100505-5N6J
Bourns Inc.
CW100505-82NJ
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CW100505-3N9J
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CW100505-10NJ
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CW100505-22NJ
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LCMXO640C-5TN144C
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LCMXO2280C-4T100C
Lattice Semiconductor Corporation
XCKU5P-L1FFVB676I
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M1A3P1000L-FG484I
Microsemi Corporation
EP2S60F484C3N
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LCMXO2-1200UHC-4FTG256I
Lattice Semiconductor Corporation
5CEFA9F31C8N
Intel
5CGXBC7C7F23C8N
Intel
5CGXFC3B6U15C7N
Intel
EP20K200EQC240-1N
Intel