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Référence fabricant | CV201210-2R2K |
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Numéro de pièce future | FT-CV201210-2R2K |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | CV201210 |
CV201210-2R2K Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type | Multilayer |
Matériau - Noyau | Ferrite |
Inductance | 2.2µH |
Tolérance | ±10% |
Note actuelle | 30mA |
Courant - Saturation | - |
Blindage | Shielded |
Résistance DC (DCR) | 650 mOhm Max |
Q @ Freq | 45 @ 10MHz |
Fréquence - Auto-résonance | 50MHz |
Évaluations | - |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 125°C |
Fréquence d'inductance - Test | 10MHz |
Caractéristiques | - |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | 0805 (2012 Metric) |
Package d'appareils du fournisseur | 0805 (2012 Metric) |
Taille / Dimension | 0.079" L x 0.049" W (2.00mm x 1.25mm) |
Hauteur - assis (max) | 0.041" (1.05mm) |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
CV201210-2R2K Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | CV201210-2R2K-FT |
CW160808-R18J
Bourns Inc.
CW160808-R22G
Bourns Inc.
CW160808-R27G
Bourns Inc.
CW160808-R27J
Bourns Inc.
CW160808-R39J
Bourns Inc.
CW105550A-82NJ
Bourns Inc.
CW100505-4N7J
Bourns Inc.
CW100505-12NJ
Bourns Inc.
CW100505-33NJ
Bourns Inc.
CW100505-R10J
Bourns Inc.
XCV50E-6FG256I
Xilinx Inc.
A3PE600-1FG256I
Microsemi Corporation
A3P060-1VQG100I
Microsemi Corporation
XC7A200T-1FB484C
Xilinx Inc.
XC7VX690T-1FF1761I
Xilinx Inc.
XC6SLX25T-3CSG324C
Xilinx Inc.
LFE3-95EA-6LFN1156I
Lattice Semiconductor Corporation
10AX115H4F34E3SG
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EP3C25F324I7
Intel
EP20K300EQC208-2
Intel