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Référence fabricant | CV201210-1R8K |
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Numéro de pièce future | FT-CV201210-1R8K |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | CV201210 |
CV201210-1R8K Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type | Multilayer |
Matériau - Noyau | Ferrite |
Inductance | 1.8µH |
Tolérance | ±10% |
Note actuelle | 50mA |
Courant - Saturation | - |
Blindage | Shielded |
Résistance DC (DCR) | 600 mOhm Max |
Q @ Freq | 45 @ 10MHz |
Fréquence - Auto-résonance | 55MHz |
Évaluations | - |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 125°C |
Fréquence d'inductance - Test | 10MHz |
Caractéristiques | - |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | 0805 (2012 Metric) |
Package d'appareils du fournisseur | 0805 (2012 Metric) |
Taille / Dimension | 0.079" L x 0.049" W (2.00mm x 1.25mm) |
Hauteur - assis (max) | 0.041" (1.05mm) |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
CV201210-1R8K Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | CV201210-1R8K-FT |
CW160808-R15J
Bourns Inc.
CW160808-R18G
Bourns Inc.
CW160808-R18J
Bourns Inc.
CW160808-R22G
Bourns Inc.
CW160808-R27G
Bourns Inc.
CW160808-R27J
Bourns Inc.
CW160808-R39J
Bourns Inc.
CW105550A-82NJ
Bourns Inc.
CW100505-4N7J
Bourns Inc.
CW100505-12NJ
Bourns Inc.
M1AFS600-FG484K
Microsemi Corporation
LCMXO2-1200ZE-3SG32I
Lattice Semiconductor Corporation
XC4010E-1HQ208C
Xilinx Inc.
XC6SLX16-L1CSG225C
Xilinx Inc.
XC6SLX9-L1CSG324I
Xilinx Inc.
A42MX16-1TQG176M
Microsemi Corporation
LFE3-70E-8FN672C
Lattice Semiconductor Corporation
EP2AGX45DF29I5
Intel
EP4SGX230DF29I4
Intel
EP20K100EQI240-2X
Intel