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Référence fabricant | CTX20-2-52M-R |
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Numéro de pièce future | FT-CTX20-2-52M-R |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | CTX |
CTX20-2-52M-R Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type | Toroidal |
Matériau - Noyau | Iron Powder |
Inductance | 20µH |
Tolérance | ±20% |
Note actuelle | 3.2A |
Courant - Saturation | 3.2A |
Blindage | Unshielded |
Résistance DC (DCR) | 39.2 mOhm Max |
Q @ Freq | - |
Fréquence - Auto-résonance | - |
Évaluations | - |
Température de fonctionnement | -40°C ~ 75°C |
Fréquence d'inductance - Test | 100kHz |
Caractéristiques | - |
Type de montage | Through Hole |
Paquet / caisse | Radial |
Package d'appareils du fournisseur | - |
Taille / Dimension | 0.535" L x 0.449" W (13.60mm x 11.40mm) |
Hauteur - assis (max) | 0.449" (11.40mm) |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
CTX20-2-52M-R Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | CTX20-2-52M-R-FT |
DR127-220-R
Eaton - Electronics Division
DR127-1R5-R
Eaton - Electronics Division
DR127-1R0-R
Eaton - Electronics Division
DR127-151-R
Eaton - Electronics Division
DR127-150-R
Eaton - Electronics Division
DR127-102-R
Eaton - Electronics Division
DR127-102
Eaton - Electronics Division
DR127-101-R
Eaton - Electronics Division
DR127-100-R
Eaton - Electronics Division
DR125-220-R
Eaton - Electronics Division
XC3S1200E-5FT256C
Xilinx Inc.
XC7A200T-1FBG676C
Xilinx Inc.
A54SX32A-1CQ208
Microsemi Corporation
EP4CE6E22A7N
Intel
5SGXMA9N2F45I2LN
Intel
5SGXMA4K3F35I3LN
Intel
XA7A75T-1CSG324I
Xilinx Inc.
LFE3-95EA-6FN1156C
Lattice Semiconductor Corporation
10AX090N4F45E3LG
Intel
EPF10K30RI240-4N
Intel