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Référence fabricant | CTX100-2-52M-R |
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Numéro de pièce future | FT-CTX100-2-52M-R |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | CTX |
CTX100-2-52M-R Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type | Toroidal |
Matériau - Noyau | Iron Powder |
Inductance | 100µH |
Tolérance | ±20% |
Note actuelle | 4.4A |
Courant - Saturation | 4.3A |
Blindage | Unshielded |
Résistance DC (DCR) | 53.4 mOhm Max |
Q @ Freq | - |
Fréquence - Auto-résonance | - |
Évaluations | - |
Température de fonctionnement | -40°C ~ 75°C |
Fréquence d'inductance - Test | 100kHz |
Caractéristiques | - |
Type de montage | Through Hole |
Paquet / caisse | Radial |
Package d'appareils du fournisseur | - |
Taille / Dimension | 1.394" L x 0.854" W (35.40mm x 21.70mm) |
Hauteur - assis (max) | 1.024" (26.00mm) |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
CTX100-2-52M-R Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | CTX100-2-52M-R-FT |
2474R-10J
API Delevan Inc.
2474R-10K
API Delevan Inc.
2474R-11J
API Delevan Inc.
2474R-11K
API Delevan Inc.
2474R-12J
API Delevan Inc.
2474R-12K
API Delevan Inc.
2474R-13J
API Delevan Inc.
2474R-13K
API Delevan Inc.
2474R-14J
API Delevan Inc.
2474R-14K
API Delevan Inc.
XC3S500E-4VQG100I
Xilinx Inc.
A54SX32A-2TQG176I
Microsemi Corporation
M2GL025T-1FGG484
Microsemi Corporation
10AX032E3F29I2SG
Intel
EP4CGX22BF14C8N
Intel
EP4SE530H40I3N
Intel
5SGXEA4H2F35I2N
Intel
A40MX02-1PQ100M
Microsemi Corporation
LFEC10E-4F256I
Lattice Semiconductor Corporation
EP2SGX130GF40C4NES
Intel