maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - FET, MOSFET - Matrices / CTLDM8120-M832DS TR
Référence fabricant | CTLDM8120-M832DS TR |
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Numéro de pièce future | FT-CTLDM8120-M832DS TR |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
CTLDM8120-M832DS TR Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Obsolete |
Type de FET | 2 P-Channel (Dual) |
Caractéristique FET | Standard |
Drain à la tension source (Vdss) | 20V |
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C | 860mA (Ta) |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 150 mOhm @ 950mA, 4.5V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 1V @ 250µA |
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 3.56nC @ 4.5V |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 200pF @ 16V |
Puissance - Max | 1.65W |
Température de fonctionnement | -65°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | 8-TDFN Exposed Pad |
Package d'appareils du fournisseur | TLM832DS |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
CTLDM8120-M832DS TR Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | CTLDM8120-M832DS TR-FT |
APTC60AM70T1G
Microsemi Corporation
APTC60AM83B1G
Microsemi Corporation
APTC60AM83BC1G
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APTC60DDAM45CT1G
Microsemi Corporation
APTC60DDAM70CT1G
Microsemi Corporation
APTC60DDAM70T3G
Microsemi Corporation
APTC60DSKM35T3G
Microsemi Corporation
APTC60DSKM45CT1G
Microsemi Corporation
APTC60DSKM45T1G
Microsemi Corporation
APTC60DSKM70CT1G
Microsemi Corporation
A54SX16P-1TQ144
Microsemi Corporation
XC7A15T-3FTG256E
Xilinx Inc.
XC6SLX25-N3FTG256I
Xilinx Inc.
XC4044XL-3HQ304C
Xilinx Inc.
A3PE600-FG484I
Microsemi Corporation
A3PN250-VQG100I
Microsemi Corporation
EP4CE40F23C8L
Intel
A42MX16-1PQG100M
Microsemi Corporation
LCMXO2-7000HE-6FTG256C
Lattice Semiconductor Corporation
5CEFA5U19C6N
Intel