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Référence fabricant | CSFM104-G |
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Numéro de pièce future | FT-CSFM104-G |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
CSFM104-G Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de diode | Standard |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 400V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) | 1A |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 1.25V @ 1A |
La vitesse | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Temps de récupération inverse (trr) | 35ns |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 5µA @ 400V |
Capacité @ Vr, F | 10pF @ 4V, 1MHz |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | SOD-123T |
Package d'appareils du fournisseur | Mini SMA/SOD-123 |
Température de fonctionnement - Jonction | -55°C ~ 150°C |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
CSFM104-G Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | CSFM104-G-FT |
BAV5004LP-7B
Diodes Incorporated
SBR0220LP-7
Diodes Incorporated
BAS16HLP-7
Diodes Incorporated
BAS16LP-7
Diodes Incorporated
BAT54LP-7B
Diodes Incorporated
SBR0240LP-7
Diodes Incorporated
SDM10U45LP-7
Diodes Incorporated
SBR02U100LPQ-7
Diodes Incorporated
SBR02U100LPQ-7B
Diodes Incorporated
SBR02U30LP-7
Diodes Incorporated
XC3SD3400A-4CS484C
Xilinx Inc.
XC2S50-6FG256C
Xilinx Inc.
M1A3P600-2FG484
Microsemi Corporation
A3P600-1FGG256
Microsemi Corporation
EP4SE360H29I3N
Intel
XC7K410T-3FFG900E
Xilinx Inc.
A42MX16-1TQG176M
Microsemi Corporation
LFE3-70EA-6FN672C
Lattice Semiconductor Corporation
EP2SGX60DF780C5N
Intel
EP1S40F1020I6N
Intel