maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - FET, MOSFET - Matrices / CSD85302L
Référence fabricant | CSD85302L |
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Numéro de pièce future | FT-CSD85302L |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | NexFET™ |
CSD85302L Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de FET | 2 N-Channel (Dual) Common Drain |
Caractéristique FET | Standard |
Drain à la tension source (Vdss) | - |
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C | - |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | - |
Vgs (th) (Max) @ Id | - |
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 7.8nC @ 4.5V |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | - |
Puissance - Max | 1.7W |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | 4-XFLGA |
Package d'appareils du fournisseur | 4-Picostar (1.31x1.31) |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
CSD85302L Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | CSD85302L-FT |
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A3PE3000-1FGG484I
Microsemi Corporation
5SGXEA5N3F45I3LN
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XC4010XL-3PC84I
Xilinx Inc.
LFE2M70E-6F900I
Lattice Semiconductor Corporation
5AGXMA5G4F31I5N
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EP4SGX110DF29I3
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EP3CLS200F780C7N
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