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Texas Instruments CSD25501F3

Numéro de pièce MFG
CSD25501F3
quantité disponible
47040 Pièces
Prix de référence
USD 0.08064
Notre prix
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Date d'expédition
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fabricant
Texas Instruments
Brève description
FemtoFET™ 20V P CH MOSFET
Statut sans plomb / Statut RoHS
Conforme RoHS (sans plomb)
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)
1 (illimité)
Code de date (D / C)
Nouveau
catégorie de produit
Transistors - FET, MOSFET - Simple
Stock de ressources
Distributeur Franchisé
garantie
Garantie de qualité de 360 jours
Fiche technique
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CSD25501F3 Caractéristiques

Référence fabricant CSD25501F3
Numéro de pièce future FT-CSD25501F3
SPQ / MOQ Contactez nous
Matériau d'emballage Reel/Tray/Tube/Others
séries FemtoFET™
CSD25501F3 Statut (cycle de vie) En stock
Statut de la pièce Active
Type de FET P-Channel
La technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension source (Vdss) 20V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C 3.6A (Ta)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) 1.8V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 76 mOhm @ 400mA, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id 1.05V @ 250µA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs 1.33nC @ 4.5V
Vgs (Max) -20V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 385pF @ 10V
Caractéristique FET -
Dissipation de puissance (max) 500mW (Ta)
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Surface Mount
Package d'appareils du fournisseur 3-LGA (0.73x0.64)
Paquet / caisse 3-XFLGA
Pays d'origine USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
CSD25501F3 Poids Contactez nous
Numéro de pièce de rechange CSD25501F3-FT

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