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Texas Instruments CSD17313Q2Q1

Name: CSD17313Q2Q1
Brand: Texas Instruments
SKU: CSD17313Q2Q1
Price: 0.21112 USD
Availability: InStock
Rating: 4.6 (428 reviews)

Numéro de pièce MFG: CSD17313Q2Q1

quantité disponible: 71010 Pièces

Prix de référence: USD 0.21112

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Date d'expédition: Nous pouvons expédier aujourd'hui

fabricant: Texas Instruments

Brève description: Automotive, AEC-Q100, NexFET™ MOSFET N-CH 30V 5A 6SON

Statut sans plomb / Statut RoHS: Conforme RoHS (sans plomb)

Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL): 1 (illimité)

Code de date (D / C): Nouveau

catégorie de produit: Transistors - FET, MOSFET - Simple

Stock de ressources: Distributeur Franchisé

garantie: Garantie de qualité de 360 jours

Fiche technique: CSD17313Q2Q1.pdf

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CSD17313Q2Q1 Caractéristiques

Référence fabricant	CSD17313Q2Q1
Numéro de pièce future	FT-CSD17313Q2Q1
SPQ / MOQ	Contactez nous
Matériau d'emballage	Reel/Tray/Tube/Others
séries	Automotive, AEC-Q100, NexFET™
CSD17313Q2Q1 Statut (cycle de vie)	En stock
Statut de la pièce	Not For New Designs
Type de FET	N-Channel
La technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension source (Vdss)	30V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C	5A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)	3V, 8V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	30 mOhm @ 4A, 8V
Vgs (th) (Max) @ Id	1.8V @ 250µA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs	2.7nC @ 4.5V
Vgs (Max)	+10V, -8V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	340pF @ 15V
Caractéristique FET	-
Dissipation de puissance (max)	2.3W (Ta)
Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage	Surface Mount
Package d'appareils du fournisseur	6-WSON (2x2)
Paquet / caisse	6-WDFN Exposed Pad
Pays d'origine	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
CSD17313Q2Q1 Poids	Contactez nous
Numéro de pièce de rechange	CSD17313Q2Q1-FT

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