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Référence fabricant | CSD16327Q3T |
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Numéro de pièce future | FT-CSD16327Q3T |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | NexFET™ |
CSD16327Q3T Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de FET | N-Channel |
La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain à la tension source (Vdss) | 25V |
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C | 60A (Tc) |
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) | 3V, 8V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 4 mOhm @ 24A, 8V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 1.4V @ 250µA |
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 8.4nC @ 4.5V |
Vgs (Max) | +10V, -8V |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 1300pF @ 12.5V |
Caractéristique FET | - |
Dissipation de puissance (max) | 74W (Tc) |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Surface Mount |
Package d'appareils du fournisseur | 8-VSON-CLIP (3.3x3.3) |
Paquet / caisse | 8-PowerTDFN |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
CSD16327Q3T Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | CSD16327Q3T-FT |
XP161A1265PR
Torex Semiconductor Ltd
DMP1011UCB9-7
Diodes Incorporated
CSD22204WT
Texas Instruments
CSD22206WT
Texas Instruments
CSD22202W15
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CSD22204W
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CSD22206W
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CSD25202W15T
Texas Instruments
DMP1012UCB9-7
Diodes Incorporated
EX128-TQ100
Microsemi Corporation
XC3S50A-4VQG100I
Xilinx Inc.
A54SX32A-1CQ256
Microsemi Corporation
A3P1000-PQ208
Microsemi Corporation
A42MX16-VQG100M
Microsemi Corporation
EP1SGX10CF672C7N
Intel
10AX016C3U19I2LG
Intel
10CL025ZE144I8G
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5SGXEA7H3F35I4
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EP3SE50F780I3
Intel