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Texas Instruments CSD16323Q3
- Numéro de pièce MFG
- CSD16323Q3
- quantité disponible
- 99890 Pièces
- Prix de référence
- USD 0.3584
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- Date d'expédition
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- fabricant
- Texas Instruments
- Brève description
- NexFET™ MOSFET N-CH 25V 3.3X3.3 8-SON
- Statut sans plomb / Statut RoHS
- Conforme RoHS (sans plomb)
- Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)
- 1 (illimité)
- Code de date (D / C)
- Nouveau
- catégorie de produit
- Transistors - FET, MOSFET - Simple
- Stock de ressources
- Distributeur Franchisé
- garantie
- Garantie de qualité de 360 jours
- Fiche technique
- CSD16323Q3.pdf
CSD16323Q3 Caractéristiques
| Référence fabricant | CSD16323Q3 |
|---|---|
| Numéro de pièce future | FT-CSD16323Q3 |
| SPQ / MOQ | Contactez nous |
| Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
| séries | NexFET™ |
| CSD16323Q3 Statut (cycle de vie) | En stock |
| Statut de la pièce | Active |
| Type de FET | N-Channel |
| La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain à la tension source (Vdss) | 25V |
| Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C | 21A (Ta), 60A (Tc) |
| Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) | 3V, 8V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 4.5 mOhm @ 24A, 8V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 1.4V @ 250µA |
| Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 8.4nC @ 4.5V |
| Vgs (Max) | +10V, -8V |
| Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 1300pF @ 12.5V |
| Caractéristique FET | - |
| Dissipation de puissance (max) | 3W (Ta) |
| Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Type de montage | Surface Mount |
| Package d'appareils du fournisseur | 8-VSON-CLIP (3.3x3.3) |
| Paquet / caisse | 8-PowerTDFN |
| Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
| CSD16323Q3 Poids | Contactez nous |
| Numéro de pièce de rechange | CSD16323Q3-FT |
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