maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - FET, MOSFET - Simple / CSD16323Q3
Référence fabricant | CSD16323Q3 |
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Numéro de pièce future | FT-CSD16323Q3 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | NexFET™ |
CSD16323Q3 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de FET | N-Channel |
La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain à la tension source (Vdss) | 25V |
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C | 21A (Ta), 60A (Tc) |
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) | 3V, 8V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 4.5 mOhm @ 24A, 8V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 1.4V @ 250µA |
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 8.4nC @ 4.5V |
Vgs (Max) | +10V, -8V |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 1300pF @ 12.5V |
Caractéristique FET | - |
Dissipation de puissance (max) | 3W (Ta) |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Surface Mount |
Package d'appareils du fournisseur | 8-VSON-CLIP (3.3x3.3) |
Paquet / caisse | 8-PowerTDFN |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
CSD16323Q3 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | CSD16323Q3-FT |
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