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Référence fabricant | CSD06060G |
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Numéro de pièce future | FT-CSD06060G |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | Zero Recovery™ |
CSD06060G Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Obsolete |
Type de diode | Silicon Carbide Schottky |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 600V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) | 10A |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 1.8V @ 6A |
La vitesse | No Recovery Time > 500mA (Io) |
Temps de récupération inverse (trr) | 0ns |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 200µA @ 600V |
Capacité @ Vr, F | 340pF @ 0V, 1MHz |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Package d'appareils du fournisseur | TO-263-2 |
Température de fonctionnement - Jonction | -55°C ~ 175°C |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
CSD06060G Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | CSD06060G-FT |
MMBD1701
ON Semiconductor
MMBD1701A
ON Semiconductor
MMBD1702A
ON Semiconductor
MMBD4148
ON Semiconductor
MMBD4148-D87Z
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MMBD914
ON Semiconductor
MMBD914LT3HTMA1
Infineon Technologies
MMBD914_D87Z
ON Semiconductor
PMEG2010AEK,115
NXP USA Inc.
RB400D-TP
Micro Commercial Co
A3P125-2PQ208I
Microsemi Corporation
EP3SL50F484I4N
Intel
10M16DAF256I7G
Intel
EP1K30FC256-2N
Intel
EP3SE80F1152C2
Intel
XC7K160T-2FF676C
Xilinx Inc.
AGLP060V2-CS289
Microsemi Corporation
LFXP2-5E-5QN208C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO640C-3BN256I
Lattice Semiconductor Corporation
5AGXMA3D4F31I3G
Intel