maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - Bipolaires (BJT) - Simples / CP647-MJ11015-WR
Référence fabricant | CP647-MJ11015-WR |
---|---|
Numéro de pièce future | FT-CP647-MJ11015-WR |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
CP647-MJ11015-WR Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de transistor | PNP - Darlington |
Courant - Collecteur (Ic) (Max) | 30A |
Tension - Panne de l'émetteur du collecteur (max.) | 120V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 4V @ 300mA, 30A |
Courant - Coupure Collecteur (Max) | 1mA |
Gain en courant continu (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 200 @ 30A, 5V |
Puissance - Max | - |
Fréquence - Transition | - |
Température de fonctionnement | -65°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | Die |
Package d'appareils du fournisseur | Die |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
CP647-MJ11015-WR Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | CP647-MJ11015-WR-FT |
BDW94-S
Bourns Inc.
BDW94A-S
Bourns Inc.
BDW94B-S
Bourns Inc.
BDW94C-S
Bourns Inc.
BDX33A-S
Bourns Inc.
BDX33B-S
Bourns Inc.
BDX33C-S
Bourns Inc.
BDX33D-S
Bourns Inc.
BDX34A-S
Bourns Inc.
BDX34C-S
Bourns Inc.
EPF8820ATC144-2N
Intel
XC4003E-4PQ100I
Xilinx Inc.
M2GL010TS-VFG256I
Microsemi Corporation
LFE2M100E-6F1152I
Lattice Semiconductor Corporation
EP20K400CF672I8
Intel
EP2S30F484I4
Intel
5SGSMD5K3F40C3
Intel
5SGXEA9N3F45C3N
Intel
EP20K100EQC240-3
Intel
EPF10K30RC208-3N
Intel