maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - Bipolaires (BJT) - Simples / CP647-MJ11015-CT
Référence fabricant | CP647-MJ11015-CT |
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Numéro de pièce future | FT-CP647-MJ11015-CT |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
CP647-MJ11015-CT Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de transistor | PNP - Darlington |
Courant - Collecteur (Ic) (Max) | 30A |
Tension - Panne de l'émetteur du collecteur (max.) | 120V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 4V @ 300mA, 30A |
Courant - Coupure Collecteur (Max) | 1mA |
Gain en courant continu (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 200 @ 30A, 5V |
Puissance - Max | - |
Fréquence - Transition | - |
Température de fonctionnement | -65°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | Die |
Package d'appareils du fournisseur | Die |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
CP647-MJ11015-CT Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | CP647-MJ11015-CT-FT |
BDW93B-S
Bourns Inc.
BDW93C-S
Bourns Inc.
BDW93CPWD
ON Semiconductor
BDW94-S
Bourns Inc.
BDW94A-S
Bourns Inc.
BDW94B-S
Bourns Inc.
BDW94C-S
Bourns Inc.
BDX33A-S
Bourns Inc.
BDX33B-S
Bourns Inc.
BDX33C-S
Bourns Inc.
LAXP2-5E-5FTN256E
Lattice Semiconductor Corporation
EP3SL70F484I4N
Intel
EP3C40F484C8
Intel
5SGXMA7K2F40I3N
Intel
5SGXEA5K2F35I2N
Intel
XC6SLX9-L1CPG196C
Xilinx Inc.
LFEC6E-3FN256I
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2-35E-7FN672C
Lattice Semiconductor Corporation
10AX090N2F40E1SG
Intel
5AGXMA3D4F31C4G
Intel