maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - Bipolaires (BJT) - Simples / CP647-MJ11013-CT
Référence fabricant | CP647-MJ11013-CT |
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Numéro de pièce future | FT-CP647-MJ11013-CT |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
CP647-MJ11013-CT Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de transistor | PNP - Darlington |
Courant - Collecteur (Ic) (Max) | 30A |
Tension - Panne de l'émetteur du collecteur (max.) | 90V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 4V @ 300mA, 30A |
Courant - Coupure Collecteur (Max) | 1mA |
Gain en courant continu (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 200 @ 30A, 5V |
Puissance - Max | - |
Fréquence - Transition | - |
Température de fonctionnement | -65°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | Die |
Package d'appareils du fournisseur | Die |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
CP647-MJ11013-CT Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | CP647-MJ11013-CT-FT |
BDW93-S
Bourns Inc.
BDW93A-S
Bourns Inc.
BDW93B-S
Bourns Inc.
BDW93C-S
Bourns Inc.
BDW93CPWD
ON Semiconductor
BDW94-S
Bourns Inc.
BDW94A-S
Bourns Inc.
BDW94B-S
Bourns Inc.
BDW94C-S
Bourns Inc.
BDX33A-S
Bourns Inc.
M2GL050T-FCSG325
Microsemi Corporation
A42MX36-1CQ256
Microsemi Corporation
5SGXEA3K1F40C2N
Intel
EP4SE360H29C3N
Intel
10AX032E3F27E2LG
Intel
10AX022E4F29I3LG
Intel
XA7A35T-1CPG236Q
Xilinx Inc.
LCMXO2-2000ZE-2FTG256I
Lattice Semiconductor Corporation
EP3SE110F780C2N
Intel
EP3SL110F780I4L
Intel