maison / des produits / Isolateurs / Optoisolants - Transistor, sortie photovoltaïque / CNY17F2TVM
Référence fabricant | CNY17F2TVM |
---|---|
Numéro de pièce future | FT-CNY17F2TVM |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
CNY17F2TVM Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Nombre de canaux | 1 |
Tension - Isolement | 4170Vrms |
Ratio de transfert actuel (min) | 63% @ 10mA |
Ratio de transfert actuel (max) | 125% @ 10mA |
Activer / Désactiver le temps (Typ) | 2µs, 3µs |
Temps de montée / descente (type) | 4µs, 3.5µs (Max) |
Type d'entrée | DC |
Le type de sortie | Transistor |
Tension - Sortie (Max) | 70V |
Courant - Sortie / Canal | 50mA |
Tension - Forward (Vf) (Typ) | 1.35V |
Courant - DC Forward (Si) (Max) | 60mA |
Vce Saturation (Max) | 400mV |
Température de fonctionnement | -40°C ~ 100°C |
Type de montage | Through Hole |
Paquet / caisse | 6-DIP (0.400", 10.16mm) |
Package d'appareils du fournisseur | 6-DIP |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
CNY17F2TVM Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | CNY17F2TVM-FT |
CNY17F3SR2VM
ON Semiconductor
CNY171SR2M
ON Semiconductor
4N32SM
ON Semiconductor
H11A1SR2VM
ON Semiconductor
H11AA4SR2VM
ON Semiconductor
CNY173SR2M
ON Semiconductor
H11G2SR2VM
ON Semiconductor
CNY174SR2M
ON Semiconductor
H11AA4SR2M
ON Semiconductor
H11G1SR2VM
ON Semiconductor
A54SX72A-2FGG484
Microsemi Corporation
ICE5LP1K-SWG36ITR50
Lattice Semiconductor Corporation
AT40K05-2CQC
Microchip Technology
AT6003-4AC
Microchip Technology
XC5VSX95T-1FFG1136C
Xilinx Inc.
XC2VP4-5FFG672C
Xilinx Inc.
LCMXO1200C-4MN132C
Lattice Semiconductor Corporation
5AGXBA1D4F31I5N
Intel
EP2AGX95EF35C4N
Intel
10AX048E2F29E1HG
Intel