maison / des produits / Isolateurs / Optoisolants - Transistor, sortie photovoltaïque / CNY17-4M-V
Référence fabricant | CNY17-4M-V |
---|---|
Numéro de pièce future | FT-CNY17-4M-V |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
CNY17-4M-V Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Nombre de canaux | 1 |
Tension - Isolement | 5000Vrms |
Ratio de transfert actuel (min) | 160% @ 10mA |
Ratio de transfert actuel (max) | 320% @ 10mA |
Activer / Désactiver le temps (Typ) | 10µs, 9µs |
Temps de montée / descente (type) | 6µs, 8µs |
Type d'entrée | DC |
Le type de sortie | Transistor with Base |
Tension - Sortie (Max) | 80V |
Courant - Sortie / Canal | - |
Tension - Forward (Vf) (Typ) | 1.65V (Max) |
Courant - DC Forward (Si) (Max) | 60mA |
Vce Saturation (Max) | 300mV |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 110°C |
Type de montage | Through Hole |
Paquet / caisse | 6-DIP (0.400", 10.16mm) |
Package d'appareils du fournisseur | 6-DIP |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
CNY17-4M-V Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | CNY17-4M-V-FT |
CNY171SM
ON Semiconductor
4N29SM
ON Semiconductor
CNY17F1SR2VM
ON Semiconductor
4N29SR2M
ON Semiconductor
CNY172SR2VM
ON Semiconductor
CNY17F3SR2M
ON Semiconductor
4N30SR2M
ON Semiconductor
4N26SM
ON Semiconductor
4N273S
ON Semiconductor
4N273SD
ON Semiconductor
XC3S50A-4TQG144I
Xilinx Inc.
LFEC1E-4T100I
Lattice Semiconductor Corporation
A42MX16-1VQ100I
Microsemi Corporation
AT40K20LV-3DQI
Microchip Technology
5CGXBC7B7M15C8N
Intel
XC5VLX30T-3FFG665C
Xilinx Inc.
XC6VLX240T-1FFG784C
Xilinx Inc.
LFEC6E-3FN484I
Lattice Semiconductor Corporation
5AGXMB7G4F35I5N
Intel
EP3SL70F780I3
Intel