maison / des produits / Isolateurs / Optoisolants - Transistor, sortie photovoltaïque / CNY17-3S(TA)-V
Référence fabricant | CNY17-3S(TA)-V |
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Numéro de pièce future | FT-CNY17-3S(TA)-V |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
CNY17-3S(TA)-V Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Nombre de canaux | 1 |
Tension - Isolement | 5000Vrms |
Ratio de transfert actuel (min) | 100% @ 10mA |
Ratio de transfert actuel (max) | 200% @ 10mA |
Activer / Désactiver le temps (Typ) | 10µs, 9µs |
Temps de montée / descente (type) | 6µs, 8µs |
Type d'entrée | DC |
Le type de sortie | Transistor with Base |
Tension - Sortie (Max) | 80V |
Courant - Sortie / Canal | - |
Tension - Forward (Vf) (Typ) | 1.65V (Max) |
Courant - DC Forward (Si) (Max) | 60mA |
Vce Saturation (Max) | 300mV |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 110°C |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | 6-SMD, Gull Wing |
Package d'appareils du fournisseur | 6-SMD |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
CNY17-3S(TA)-V Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | CNY17-3S(TA)-V-FT |
EL817(S1)(D)(TU)-G
Everlight Electronics Co Ltd
EL817(S1)(D)(TU)-V
Everlight Electronics Co Ltd
EL817(S1)(D)(TU)-VG
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EL817(S1)(TD)
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EL817(S1)(TD)-G
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EL817(S1)(TD)-V
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EL817(S1)(TD)-VG
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EL817(S1)(TU)
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EL817(S1)(TU)-G
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EL817(S1)(TU)-V
Everlight Electronics Co Ltd
XC3S1400AN-4FGG676I
Xilinx Inc.
XC3S250E-4VQ100I
Xilinx Inc.
5SGXMA3K2F35I3LN
Intel
XC6VCX240T-1FFG1156C
Xilinx Inc.
LFEC33E-3F484I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-4000HE-6MG132C
Lattice Semiconductor Corporation
5AGXMA3D4F31C4N
Intel
EP2AGX65DF29I5
Intel
EP4CE55F29C8L
Intel
EP20K200EQC208-2
Intel