maison / des produits / Isolateurs / Optoisolants - Transistor, sortie photovoltaïque / CNY17-2-060E
Référence fabricant | CNY17-2-060E |
---|---|
Numéro de pièce future | FT-CNY17-2-060E |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
CNY17-2-060E Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Nombre de canaux | 1 |
Tension - Isolement | 5000Vrms |
Ratio de transfert actuel (min) | 63% @ 10mA |
Ratio de transfert actuel (max) | 125% @ 10mA |
Activer / Désactiver le temps (Typ) | - |
Temps de montée / descente (type) | 5µs, 5µs |
Type d'entrée | DC |
Le type de sortie | Transistor with Base |
Tension - Sortie (Max) | 70V |
Courant - Sortie / Canal | 150mA |
Tension - Forward (Vf) (Typ) | 1.4V |
Courant - DC Forward (Si) (Max) | 60mA |
Vce Saturation (Max) | 300mV |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 100°C |
Type de montage | Through Hole |
Paquet / caisse | 6-DIP (0.300", 7.62mm) |
Package d'appareils du fournisseur | 6-DIP |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
CNY17-2-060E Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | CNY17-2-060E-FT |
MOCD217R1M
ON Semiconductor
MOCD217R1VM
ON Semiconductor
MOCD223R1M
ON Semiconductor
MOCD223R1VM
ON Semiconductor
FODM121CR2
ON Semiconductor
FODM1007R2
ON Semiconductor
FODM124
ON Semiconductor
FODM1008R2
ON Semiconductor
FODM121B
ON Semiconductor
FODM1009R2
ON Semiconductor
A3PN030-Z2VQ100
Microsemi Corporation
XC6VLX240T-1FF784I
Xilinx Inc.
LFXP15C-3FN256I
Lattice Semiconductor Corporation
LFEC20E-4F484C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2280E-5FTN324C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-4000HC-5BG256C
Lattice Semiconductor Corporation
5AGXMB1G4F35C5N
Intel
EP2S130F780C5N
Intel
EP2SGX30DF780C5N
Intel
EPF10K50VRC240-2N
Intel