maison / des produits / Isolateurs / Optoisolants - Transistor, sortie photovoltaïque / CNY17-1M
Référence fabricant | CNY17-1M |
---|---|
Numéro de pièce future | FT-CNY17-1M |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
CNY17-1M Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Nombre de canaux | 1 |
Tension - Isolement | 5000Vrms |
Ratio de transfert actuel (min) | 40% @ 10mA |
Ratio de transfert actuel (max) | 80% @ 10mA |
Activer / Désactiver le temps (Typ) | - |
Temps de montée / descente (type) | 5µs, 5µs |
Type d'entrée | DC |
Le type de sortie | Transistor with Base |
Tension - Sortie (Max) | 70V |
Courant - Sortie / Canal | 150mA |
Tension - Forward (Vf) (Typ) | 1.45V |
Courant - DC Forward (Si) (Max) | 60mA |
Vce Saturation (Max) | 300mV |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 100°C |
Type de montage | Through Hole |
Paquet / caisse | 6-DIP (0.400", 10.16mm) |
Package d'appareils du fournisseur | 6-DIP |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
CNY17-1M Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | CNY17-1M-FT |
HMA121CR3V-NF098
ON Semiconductor
MOCD223R2M
ON Semiconductor
MOCD213M
ON Semiconductor
H11D3SR2M
ON Semiconductor
H11D1SR2VM
ON Semiconductor
H11B1SR2VM
ON Semiconductor
H11B1SR2M
ON Semiconductor
H11AA1SR2M
ON Semiconductor
H11AA1SM
ON Semiconductor
FODM121AR2
ON Semiconductor
LCMXO2280E-4T144C
Lattice Semiconductor Corporation
XC3S5000-5FGG900C
Xilinx Inc.
MPF100TS-FCVG484I
Microsemi Corporation
A40MX02-PLG68I
Microsemi Corporation
EP20K600CF672I8N
Intel
5SGXEABN1F45I2N
Intel
XC6VLX195T-2FF784I
Xilinx Inc.
XC2V4000-4FF1152I
Xilinx Inc.
LFXP2-40E-5FN484I
Lattice Semiconductor Corporation
5AGTFD3H3F35I3N
Intel