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Référence fabricant | CMS30I30A(TE12L,QM |
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Numéro de pièce future | FT-CMS30I30A(TE12L,QM |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
CMS30I30A(TE12L,QM Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de diode | Schottky |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 30V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) | 3A |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 490mV @ 3A |
La vitesse | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Temps de récupération inverse (trr) | - |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 100µA @ 30V |
Capacité @ Vr, F | 82pF @ 10V, 1MHz |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | SOD-128 |
Package d'appareils du fournisseur | M-FLAT (2.4x3.8) |
Température de fonctionnement - Jonction | 150°C (Max) |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
CMS30I30A(TE12L,QM Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | CMS30I30A(TE12L,QM-FT |
UFT3130C
Microsemi Corporation
MF10H100HE3_A/P
Vishay Semiconductor Diodes Division
NSF8BTHE3_A/P
Vishay Semiconductor Diodes Division
NSF8DTHE3_A/P
Vishay Semiconductor Diodes Division
NSF8GTHE3_A/P
Vishay Semiconductor Diodes Division
NSF8JTHE3_A/P
Vishay Semiconductor Diodes Division
NSF8KTHE3_A/P
Vishay Semiconductor Diodes Division
NSF8MTHE3_A/P
Vishay Semiconductor Diodes Division
STTH20P035FP
STMicroelectronics
JAN1N4148UB
Microsemi Corporation
LCMXO2280E-3TN100I
Lattice Semiconductor Corporation
M2GL090-FCSG325I
Microsemi Corporation
LCMXO2280E-3FT256C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE5U-85F-6BG756I
Lattice Semiconductor Corporation
5SGXEA7N2F40I3LN
Intel
5SGXEA5H2F35I3
Intel
XC7A15T-3CPG236E
Xilinx Inc.
5AGXFB1H6F35C6N
Intel
EP1S80B956C6N
Intel
EP4SGX180HF35C4
Intel