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Référence fabricant | CMS06(TE12L,Q,M) |
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Numéro de pièce future | FT-CMS06(TE12L,Q,M) |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
CMS06(TE12L,Q,M) Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de diode | Schottky |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 30V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) | 2A |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 370mV @ 2A |
La vitesse | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Temps de récupération inverse (trr) | - |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 3mA @ 30V |
Capacité @ Vr, F | 130pF @ 10V, 1MHz |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | SOD-128 |
Package d'appareils du fournisseur | M-FLAT (2.4x3.8) |
Température de fonctionnement - Jonction | -40°C ~ 125°C |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
CMS06(TE12L,Q,M) Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | CMS06(TE12L,Q,M)-FT |
S5GHE3/9AT
Vishay Semiconductor Diodes Division
S5JHE3/57T
Vishay Semiconductor Diodes Division
S5JHE3/9AT
Vishay Semiconductor Diodes Division
S5KHE3/57T
Vishay Semiconductor Diodes Division
S5KHE3/9AT
Vishay Semiconductor Diodes Division
S5MHE3/57T
Vishay Semiconductor Diodes Division
S5MHE3/9AT
Vishay Semiconductor Diodes Division
SL42HE3/57T
Vishay Semiconductor Diodes Division
SL42HE3/9AT
Vishay Semiconductor Diodes Division
SL42HE3_A/H
Vishay Semiconductor Diodes Division
XC7S25-1FTGB196C
Xilinx Inc.
APA075-PQ208I
Microsemi Corporation
EP2S60F484I4N
Intel
10M25SAE144C8G
Intel
XC4008E-1PC84C
Xilinx Inc.
XC7VX980T-1FFG1930I
Xilinx Inc.
A54SX16A-TQG100
Microsemi Corporation
LCMXO3LF-1300E-6MG121I
Lattice Semiconductor Corporation
10AX115R2F40E2SG
Intel
EPF10K30ABC356-4
Intel