maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - FET, MOSFET - Simple / CMPDM203NH TR
Référence fabricant | CMPDM203NH TR |
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Numéro de pièce future | FT-CMPDM203NH TR |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
CMPDM203NH TR Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Obsolete |
Type de FET | N-Channel |
La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain à la tension source (Vdss) | 20V |
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C | 3.2A (Ta) |
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) | 2.5V, 4.5V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 50 mOhm @ 1.6A, 4.5V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 1.2V @ 250µA |
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 10nC @ 4.5V |
Vgs (Max) | 12V |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 395pF @ 10V |
Caractéristique FET | - |
Dissipation de puissance (max) | 350mW (Ta) |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Surface Mount |
Package d'appareils du fournisseur | SOT-23F |
Paquet / caisse | SOT-23-3 Flat Leads |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
CMPDM203NH TR Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | CMPDM203NH TR-FT |
DMN3025LFDF-7
Diodes Incorporated
DMP2023UFDF-7
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DMN1008UFDF-13
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DMN2011UFDF-13
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ICE40UP3K-UWG30ITR1K
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EP4SE530H35C4N
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XC4VLX40-11FFG1148I
Xilinx Inc.
A3P1000-FGG144T
Microsemi Corporation
LCMXO640E-3MN100C
Lattice Semiconductor Corporation
EP1S20F780C7
Intel