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Référence fabricant | CM200DY-12NF |
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Numéro de pièce future | FT-CM200DY-12NF |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | IGBTMOD™ |
CM200DY-12NF Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Discontinued at Future Semiconductor |
Type IGBT | - |
Configuration | Half Bridge |
Tension - Panne de l'émetteur du collecteur (max.) | 600V |
Courant - Collecteur (Ic) (Max) | 200A |
Puissance - Max | 650W |
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 2.2V @ 15V, 200A |
Courant - Coupure Collecteur (Max) | 1mA |
Capacité d'entrée (Cies) @ Vce | 30nF @ 10V |
Contribution | Standard |
Thermistance NTC | No |
Température de fonctionnement | -40°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Chassis Mount |
Paquet / caisse | Module |
Package d'appareils du fournisseur | Module |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
CM200DY-12NF Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | CM200DY-12NF-FT |
VS-GB90DA120U
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-GA200SA60UP
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-GT100DA120UF
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-GT80DA120U
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-GT180DA120U
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-GB55LA120UX
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-GB55NA120UX
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-GT120DA65U
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-GT140DA60U
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-GB75LA60UF
Vishay Semiconductor Diodes Division
XC6SLX9-2FTG256C
Xilinx Inc.
M1A3P250-VQ100
Microsemi Corporation
10AX022E4F27E3LG
Intel
XC2VP30-6FFG896I
Xilinx Inc.
XC7A100T-L1CSG324I
Xilinx Inc.
XA7A15T-1CPG236Q
Xilinx Inc.
A42MX09-2PQ100I
Microsemi Corporation
LFEC3E-3QN208C
Lattice Semiconductor Corporation
5AGXFA5H4F35I3N
Intel
10AX016E4F27E3SG
Intel