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Référence fabricant | CM200DU-12F |
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Numéro de pièce future | FT-CM200DU-12F |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | IGBTMOD™ |
CM200DU-12F Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Discontinued at Future Semiconductor |
Type IGBT | Trench |
Configuration | Half Bridge |
Tension - Panne de l'émetteur du collecteur (max.) | 600V |
Courant - Collecteur (Ic) (Max) | 200A |
Puissance - Max | 590W |
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 2.2V @ 15V, 200A |
Courant - Coupure Collecteur (Max) | 1mA |
Capacité d'entrée (Cies) @ Vce | 54nF @ 10V |
Contribution | Standard |
Thermistance NTC | No |
Température de fonctionnement | -40°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Chassis Mount |
Paquet / caisse | Module |
Package d'appareils du fournisseur | Module |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
CM200DU-12F Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | CM200DU-12F-FT |
VS-GT180DA120U
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-GB55LA120UX
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-GB55NA120UX
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-GT120DA65U
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-GT140DA60U
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-GB75LA60UF
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-GB75NA60UF
Vishay Semiconductor Diodes Division
GA200SA60S
Vishay Semiconductor Diodes Division
GA200SA60U
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-GA100NA60UP
Vishay Semiconductor Diodes Division
M2GL010T-1VFG256I
Microsemi Corporation
EP1S25B672C6N
Intel
5SGSMD5K2F40C2L
Intel
5SGXMA7N2F45I2LN
Intel
EP4CGX15BF14A7N
Intel
XC5VLX155-3FFG1153C
Xilinx Inc.
LFE2M50E-6F484I
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2-50E-6FN672I
Lattice Semiconductor Corporation
5CGTFD9A5U19C7N
Intel
EPF10K50VBC356-3
Intel