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Référence fabricant | CM100DUS-12F |
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Numéro de pièce future | FT-CM100DUS-12F |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | IGBTMOD™ |
CM100DUS-12F Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Discontinued at Future Semiconductor |
Type IGBT | Trench |
Configuration | Half Bridge |
Tension - Panne de l'émetteur du collecteur (max.) | 600V |
Courant - Collecteur (Ic) (Max) | 100A |
Puissance - Max | 350W |
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 2.7V @ 15V, 100A |
Courant - Coupure Collecteur (Max) | 1mA |
Capacité d'entrée (Cies) @ Vce | 27nF @ 10V |
Contribution | Standard |
Thermistance NTC | No |
Température de fonctionnement | -40°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Chassis Mount |
Paquet / caisse | Module |
Package d'appareils du fournisseur | Module |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
CM100DUS-12F Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | CM100DUS-12F-FT |
APTGV25H120T3G
Microsemi Corporation
APTGV30H60T3G
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BSM100GAL120DLCKHOSA1
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BSM100GB120DLCHOSA1
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