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Référence fabricant | CM100505-2N2DL |
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Numéro de pièce future | FT-CM100505-2N2DL |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | CM100505 |
CM100505-2N2DL Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Obsolete |
Type | Wirewound |
Matériau - Noyau | Alumina |
Inductance | 2.2nH |
Tolérance | ±0.3nH |
Note actuelle | 400mA |
Courant - Saturation | - |
Blindage | Unshielded |
Résistance DC (DCR) | 90 mOhm Max |
Q @ Freq | 8 @ 100MHz |
Fréquence - Auto-résonance | 6GHz |
Évaluations | - |
Température de fonctionnement | -40°C ~ 100°C |
Fréquence d'inductance - Test | 100MHz |
Caractéristiques | - |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | 0402 (1005 Metric) |
Package d'appareils du fournisseur | 0402 (1005 Metric) |
Taille / Dimension | 0.039" L x 0.020" W (1.00mm x 0.50mm) |
Hauteur - assis (max) | 0.024" (0.60mm) |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
CM100505-2N2DL Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | CM100505-2N2DL-FT |
CM252016-100KL
Bourns Inc.
CM252016-101KL
Bourns Inc.
CM252016-10NKL
Bourns Inc.
CM252016-120KL
Bourns Inc.
CM252016-12NKL
Bourns Inc.
CM252016-150KL
Bourns Inc.
CM252016-15NKL
Bourns Inc.
CM252016-180KL
Bourns Inc.
CM252016-18NKL
Bourns Inc.
CM252016-1R0KL
Bourns Inc.
A54SX16A-2TQG144
Microsemi Corporation
XC3S1000-4FGG676I
Xilinx Inc.
APA600-FGG484A
Microsemi Corporation
APA600-FG256
Microsemi Corporation
LCMXO3L-2100E-5UWG49ITR
Lattice Semiconductor Corporation
EP1C3T100I7
Intel
A3PN250-1VQG100
Microsemi Corporation
EP3C55F484C8
Intel
5SGXEA7H3F35C2N
Intel
5AGXMA5G4F31C4N
Intel