maison / des produits / Inducteurs, bobines, bobines d'arrêt / Inducteurs fixes / CKP2520V2R7M-T
Référence fabricant | CKP2520V2R7M-T |
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Numéro de pièce future | FT-CKP2520V2R7M-T |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | CK, P Type |
CKP2520V2R7M-T Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type | Multilayer |
Matériau - Noyau | Ferrite |
Inductance | 2.7µH |
Tolérance | ±20% |
Note actuelle | 1.1A |
Courant - Saturation | - |
Blindage | Unshielded |
Résistance DC (DCR) | 150 mOhm Max |
Q @ Freq | - |
Fréquence - Auto-résonance | - |
Évaluations | - |
Température de fonctionnement | -40°C ~ 85°C |
Fréquence d'inductance - Test | 1MHz |
Caractéristiques | - |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | 1008 (2520 Metric) |
Package d'appareils du fournisseur | 1008 (2520 Metric) |
Taille / Dimension | 0.098" L x 0.079" W (2.50mm x 2.00mm) |
Hauteur - assis (max) | 0.047" (1.20mm) |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
CKP2520V2R7M-T Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | CKP2520V2R7M-T-FT |
CBC3225T100M
Taiyo Yuden
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CBC3225T821KR
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XC3S500E-4VQG100I
Xilinx Inc.
A54SX32A-2TQG176I
Microsemi Corporation
M2GL025T-1FGG484
Microsemi Corporation
10AX032E3F29I2SG
Intel
EP4CGX22BF14C8N
Intel
EP4SE530H40I3N
Intel
5SGXEA4H2F35I2N
Intel
A40MX02-1PQ100M
Microsemi Corporation
LFEC10E-4F256I
Lattice Semiconductor Corporation
EP2SGX130GF40C4NES
Intel