maison / des produits / Inducteurs, bobines, bobines d'arrêt / Inducteurs fixes / CIH03T3N9SNC
Référence fabricant | CIH03T3N9SNC |
---|---|
Numéro de pièce future | FT-CIH03T3N9SNC |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | CIH03T |
CIH03T3N9SNC Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type | Multilayer |
Matériau - Noyau | - |
Inductance | 3.9nH |
Tolérance | ±0.3nH |
Note actuelle | 200mA |
Courant - Saturation | - |
Blindage | Unshielded |
Résistance DC (DCR) | 300 mOhm Max |
Q @ Freq | 5 @ 100MHz |
Fréquence - Auto-résonance | 6GHz |
Évaluations | - |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 125°C |
Fréquence d'inductance - Test | 100MHz |
Caractéristiques | - |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | 0201 (0603 Metric) |
Package d'appareils du fournisseur | - |
Taille / Dimension | 0.024" L x 0.012" W (0.60mm x 0.30mm) |
Hauteur - assis (max) | - |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
CIH03T3N9SNC Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | CIH03T3N9SNC-FT |
CIG21W4R7MNE
Samsung Electro-Mechanics
CIG21L4R7MNE
Samsung Electro-Mechanics
CIGT201210UHR24MNE
Samsung Electro-Mechanics
CIG21L1R2MNE
Samsung Electro-Mechanics
CIG21C2R2MNE
Samsung Electro-Mechanics
CIG21C4R7MNE
Samsung Electro-Mechanics
CIG21L1R0MNE
Samsung Electro-Mechanics
CIG21L3R3MNE
Samsung Electro-Mechanics
CIG21W1R0MNE
Samsung Electro-Mechanics
CIG21W3R3MNE
Samsung Electro-Mechanics
EPF10K20TC144-4
Intel
LFEC3E-4TN144C
Lattice Semiconductor Corporation
M2GL010-1VF400
Microsemi Corporation
AGL030V5-VQ100I
Microsemi Corporation
5SGXEA5N1F40I2N
Intel
XC2V2000-4FFG896C
Xilinx Inc.
A42MX24-1PQ160
Microsemi Corporation
LFE2-20E-6F672C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2-35SE-7F484C
Lattice Semiconductor Corporation
EP2AGX125EF29C6ES
Intel