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Référence fabricant | CIGW252010GM2R2MSE |
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Numéro de pièce future | FT-CIGW252010GM2R2MSE |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | CIGW |
CIGW252010GM2R2MSE Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type | Wirewound |
Matériau - Noyau | Metal Composite |
Inductance | 2.2µH |
Tolérance | ±20% |
Note actuelle | - |
Courant - Saturation | - |
Blindage | Shielded |
Résistance DC (DCR) | - |
Q @ Freq | - |
Fréquence - Auto-résonance | - |
Évaluations | - |
Température de fonctionnement | -40°C ~ 125°C |
Fréquence d'inductance - Test | 1MHz |
Caractéristiques | - |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | 1008 (2520 Metric) |
Package d'appareils du fournisseur | 1008 (2520 Metric) |
Taille / Dimension | 0.098" L x 0.079" W (2.50mm x 2.00mm) |
Hauteur - assis (max) | - |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
CIGW252010GM2R2MSE Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | CIGW252010GM2R2MSE-FT |
CIH05T1N2CNC
Samsung Electro-Mechanics
CIH05T1N5CNC
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CIH05T1N8CNC
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CIH05T1N8SNC
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CIH05T2N4SNC
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LCMXO640E-3FTN256C
Lattice Semiconductor Corporation
XC4020XL-1HT176I
Xilinx Inc.
EP4SGX290FH29C3
Intel
5SGXEA4K2F35I2LN
Intel
A1010B-PLG44C
Microsemi Corporation
XC7A200T-1FBG484C
Xilinx Inc.
EP2AGX125EF29I5G
Intel
EP20K60EQC240-2X
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EPF8636AQC160-3
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EP1SGX40GF1020I6
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