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Référence fabricant | CIGW252010GL1R5MNE |
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Numéro de pièce future | FT-CIGW252010GL1R5MNE |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | CIGW |
CIGW252010GL1R5MNE Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type | Wirewound |
Matériau - Noyau | Metal Composite |
Inductance | 1.5µH |
Tolérance | ±20% |
Note actuelle | 3.2A |
Courant - Saturation | 3.1A |
Blindage | Unshielded |
Résistance DC (DCR) | 54 mOhm Max |
Q @ Freq | - |
Fréquence - Auto-résonance | - |
Évaluations | - |
Température de fonctionnement | -40°C ~ 125°C |
Fréquence d'inductance - Test | 1MHz |
Caractéristiques | - |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | 1008 (2520 Metric) |
Package d'appareils du fournisseur | 1008 (2520 Metric) |
Taille / Dimension | 0.098" L x 0.079" W (2.50mm x 2.00mm) |
Hauteur - assis (max) | 0.039" (1.00mm) |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
CIGW252010GL1R5MNE Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | CIGW252010GL1R5MNE-FT |
CIH05QR18JNC
Samsung Electro-Mechanics
CIH05QR22JNC
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CIH05QR27JNC
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CIH05T1N0CNC
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CIH05T2N0CNC
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XC3S1200E-5FT256C
Xilinx Inc.
XC7A200T-1FBG676C
Xilinx Inc.
A54SX32A-1CQ208
Microsemi Corporation
EP4CE6E22A7N
Intel
5SGXMA9N2F45I2LN
Intel
5SGXMA4K3F35I3LN
Intel
XA7A75T-1CSG324I
Xilinx Inc.
LFE3-95EA-6FN1156C
Lattice Semiconductor Corporation
10AX090N4F45E3LG
Intel
EPF10K30RI240-4N
Intel