maison / des produits / Inducteurs, bobines, bobines d'arrêt / Inducteurs fixes / CIGW252010EH4R7MNE
Référence fabricant | CIGW252010EH4R7MNE |
---|---|
Numéro de pièce future | FT-CIGW252010EH4R7MNE |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | CIGW |
CIGW252010EH4R7MNE Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type | Wirewound |
Matériau - Noyau | Metal Composite |
Inductance | 4.7µH |
Tolérance | ±20% |
Note actuelle | 1.4A |
Courant - Saturation | 2.2A |
Blindage | Shielded |
Résistance DC (DCR) | 150 mOhm Max |
Q @ Freq | - |
Fréquence - Auto-résonance | - |
Évaluations | - |
Température de fonctionnement | -40°C ~ 125°C |
Fréquence d'inductance - Test | 1MHz |
Caractéristiques | - |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | 1008 (2520 Metric) |
Package d'appareils du fournisseur | 1008 (2520 Metric) |
Taille / Dimension | 0.098" L x 0.079" W (2.50mm x 2.00mm) |
Hauteur - assis (max) | 0.039" (1.00mm) |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
CIGW252010EH4R7MNE Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | CIGW252010EH4R7MNE-FT |
CIH05QR10JNC
Samsung Electro-Mechanics
CIH05QR12JNC
Samsung Electro-Mechanics
CIH05QR15JNC
Samsung Electro-Mechanics
CIH05QR18JNC
Samsung Electro-Mechanics
CIH05QR22JNC
Samsung Electro-Mechanics
CIH05QR27JNC
Samsung Electro-Mechanics
CIH05T1N0CNC
Samsung Electro-Mechanics
CIH05T1N0SNC
Samsung Electro-Mechanics
CIH05T1N2CNC
Samsung Electro-Mechanics
CIH05T1N5CNC
Samsung Electro-Mechanics
XC3S1200E-4FT256C
Xilinx Inc.
XC7S100-2FGGA676C
Xilinx Inc.
A3P400-2FGG484
Microsemi Corporation
A42MX16-PQ208A
Microsemi Corporation
ICE65L04F-TVQ100C
Lattice Semiconductor Corporation
EP4CGX110DF27I7
Intel
EP1K10FC256-1N
Intel
A42MX16-3PQ160
Microsemi Corporation
LCMXO2280E-3FTN324I
Lattice Semiconductor Corporation
5CEFA5M13C8N
Intel